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（2014•西安二模）Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图1所示．请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是______（填序号）．
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．第一电离能As＞GaC．电负性As＞GaD．原子半径As＞Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3
：（CH3）3Ga+AsH3
．
（3）AsH3空间形状为______；已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中嫁原子的杂化方式为______．
Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，局金属中的第二位，大量用于电气工业．
（4）请解释金属铜能导电的原因______；Cu2+的核外电子排布式为______．
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有______和______．
（6）NiO晶体结构与NaCl晶体类似，其晶胞的棱长为acm，则该晶胞中距离最近的两个阳离子核间的距离为
2
2
cm（用含a的代数式表示）．在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层“（如图2），可以认为氧离子做致密单层排列，镍离子填充其中，列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为
3
3
g（氧离子的半径为1.40×10-10m）．
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